mosfet
基于mosfet控制的反激式开关电源设计v1
有浪涌抑制器都要用 EMI 滤波电感和串连阻抗来防止超过它们额定的瞬时能量。 EMI 电感极大地减少了瞬时电压峰值，并在时间 上把它延长，这样提高了抑制器的工作寿命。 但是，不同的浪涌抑制器技术所串连的内部电阻特性也不一样。 浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类。 第一种类为橇棒（ Crowbar）器件，另一类为箝位保护器，即保护器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升
大功率的mosfet和igbt驱动芯片
同 的 电 路 来 完 成。 这 种 驱 动 方 式 既 提 高 了 逆 变 器 的 性 能 ， 又 提 高 了 IGBT的 工 作 效 率 ， 使 IGBT更 好 地 在 安 全 工 作 区 工 作。 这 类 芯 片 有 富 士 公 司 的 EXB8..Series、 夏 普 公 司 的 PC929等。 在 这 里 ， 我 们 主 要 针 对 EXB8..Series做 一 介 绍。 EXB8