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用 8 位中央处理器和 ISP Flash 存储单元，主要特点如下： 4k Bytes Flash 片内程序存储器； 128 bytes 的随机存取数据存储器（ RAM）； 32 个外部双向输入 /输出（ I/O）口； 5 个中断优先级、 2 层中断嵌套中断； 6 个中断源； 2 个 16 位可编程定时器 /计数器； 2 个全双工串行通信口； 看门狗（ WDT）电路； 片内振荡器和时钟电路； 与

的功能将更强大，这是传统的大规模半导体集成电路所无法比拟的。 低成本。 玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题，为大规模半导体集成电路的应用开拓了广阔的应用空间。 工艺灵活。 除了采用溅射、 CVD（化学气相沉积） MCVD（分子化学气相沉积）等传统工艺成膜以外，激光退火技术也开始应用，既可以制作非晶膜、多晶膜，也可以制造单晶膜。 不仅可以制作硅膜，也可以制作 其他的Ⅱ

前，数据将首先被存放在一个内部的发送缓冲器中。 对 SPI_DR 寄存器的读操作，将返回接收缓冲器的内容写入 SPI_DR 寄存器。 处理数据的发送与接收， 当数据从发送缓冲器传送到移位寄存器时，设置 TXE标志 (发送缓冲器空 )，它表示内部的发送缓冲器可以接收下一个数据；如果在SPI_CR2 寄存器中设置了 TXEIE 位，则此时会产生一个中断；写入 SPI_DR 寄存第二章 ARM

VCC16CD2CD4094A7B6C4D2E1F9G10DP5COM3COM8SMG1Component_1A7B6C4D2E1F9G10DP5COM3COM8SMG2Component_1A7B6C4D2E1F9G10DP5COM3COM8SMG3Component_1A7B6C4D2E1F9G10DP5COM3COM8SMG4Component_1A7B6C4D2E1F9G10DP5COM3

块结构及其原理 电机驱动模块的实物图如图 所示： 图 驱动电路实物图 电机驱动模块的主要器件是芯片 LM293D，内部原理图如图 所示： 图 电机驱动内部原理图 全桥式驱动电路的 4 只开关管都工作在斩波状态，如图 所示， K K2为一组， K K4 为另一组，两组的状态互补，一组导通则另一组必定关断。 当K K2 导通时， K K4关断，电机两端加正向电压，电机实现正转或反转制动；当 K K4

N 16 位校验 EOP 图 数据包结构 握手包 用来查看 一个 数据 是否被对方确认。 握手包四种类型： ACK、 NAK、 STALL 和NYET。 ACK 表示数据 已经被接收 ，空间容纳 也足够。 NAK表示没有数据需要返回或已经正确接受但没有空间容纳。 STALL 表示这个设备无法执行这个请求或者端点已经被挂起了，表示一种错误的状态。 NYET 只在 的高速设备中使用，表示本次数据

包括创建任务，删除任务，改变任务的优先级，任务挂起和恢复等。 系统初始化时会自动产生两个任务：一个是空闲任务，它的优先级最低，该任务仅给一个整型变量做累加运算；另一个是统计任务，它的优先级为次低，该任务负责统计当前 CPU的利用率。 181。 C/OSII 任务间通信方式 （ 1） 信号量 信号量由两部 分组成：一部分是 16位的无符号整型信号量的计数值

于设定你显示区域的大小，我们整个屏的大小为 240*320，但是有时候我们只需要在其中的一部分区域写入数据，如果用先 写坐标，后写数据 这样的方式来实现，则速度大打折扣。 此时我们就可以通过这几个命令，在其中开辟一个区域，然后不停的丢数据，地址计数器就会根据 R3 的设置自动增加 /减少，这样就不需要频繁的写地址了，大大提高了刷新的速度。 3 系统软件设计 LED 驱动 //初始化 PA8 和

分别通过跳线帽可选高低电平，以改变芯片启动模式，其启动模式具体如下表 1 所示。 表 1 启动模式说明 (4) 模块有 4 个数字电源供电引脚， 1 个模拟电源供电引脚以及相应的接地引脚。 在电源端要注意接滤波电容，模拟地和数字地引脚之间最好通过 0 欧 电阻隔离。 电源和地之间加若干去藕电容。 人机交互界面 的 设计 人机交互界面是人与机器进行沟通交流的 设备，它可以把人的指令传入给 MCU