基于多功能单片学习机的nand_flash驱动的设计毕业设计(论文)(编辑修改稿)

基于多功能单片学习机的nand_flash驱动的设计毕业设计(论文)(编辑修改稿)内容摘要：

数据（要显示的七段码）进入显示器，使能端与地址译码器的输出相连，要显示那位，则选通那位的地址，在软件设计上不要求程序循环，也不存在显示数字发生闪烁。 但是这样会占用很多口线。 动态显示是将所有位数码管的段选线并联在一起，由位选线控制是哪一位数码管有效。 这样一来，就没有必要每一 位数码管配一个锁存器，从而节省了口线，地简化了硬件电路。 所谓动态扫描显示即轮流向各位数码管送出字形码和相应的位选，利用发光管的余辉和人眼视觉暂留作用，使人的感觉好像各位数码管同时都在显示。 学习机采用的是动态扫描。 动态扫描驱动数码管的优点：当显示位数较多时，采用动态显示方式比较节省 I/O 口，硬件电路也较静态显示简单；缺点：其稳定度不如静态显示方式。 而且在显示位数较多时 CPU 要轮番扫描，占用 CPU 较多的时间。 总的来说，无论是动态还是静态显示，其显示更新的速率不能太快，如数据不停变化，太快则无法看清楚显示的内 容，在软件设计是必须注意的。 另外，在同等条件下动态显示的亮度比静态显示要差一些，所以在适当提高驱动电流，例如使用限流电阻，就应略小于静态显示电路中的，或者使用缓冲驱动芯片。 表 21 显示的数字和七段码各位的对应关系表 显示值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 七段共阴 3FH 06H 5BH 4FH 66H 6DH 7DH 07H 7FH 6FH 七段共阳 C0H F9H A4H B0H 99H 92H 82H F8H 80H 90H 2．数码显示电路分析 南昌工程学院本科毕业（论文）设计 13 （ 1）芯片的介绍 74HC138 是 常用的 38 线译码器， 即具有 3 个输入端（ 管脚 1,2,3） 与 8 个输出端（ 管脚 15,1 13, 12, 11,10,9,7），作用为完成 3 位二进制数据到 8 位片选的译码。 也就是说， 3 个输入端对应 8 个二进制数据（ 000,001,010,011,100,101,110,111），对于每个输入的数据，输出端相应位输出低电平，其他 7 位输出高电平。 74HC138 具有 2 个低电平使能端（管脚 4,5）与 1 个高电平使能端（管脚 6） , 当低电平使能端接低电平且高电平使能端接高电平时 74HC138 才能 正常工作，否则 8 个输出端全部输出高电平。 74HC138 的真值表如表 所示： H 代表高电平， L 代表低电平， X 代表不定的状态。 表 22 74HC138的真值表 74HC273是 8 D触发器， 内部包含 8个 D触发器，它们使用公共的时钟脉冲和异步清零信号，触发方式为边沿触发。 74HC273真值表如表 , 其中 H表示高电平 , L表示低电平 ,╳表示任意输入 , 」 表示上升沿触发。 表 23 74HC273的真值表 （ 2）电路原理 图 25 为数码显示电路，显示电路中采用了 8 只数码管， 连接方式为八段共阴极数码第二章 多功能单片学习机 14 管，显示方案为动态扫描。 从图 25中可以看出驱动数码管总共用了 6个单片机 I/O 口，其中三个 I/O 口通过一片 74HC138 控制 74HC273 锁存器的时钟 CLK 来实现对数码管中的各段驱动，另三个 I/0 口通过控制另一片 74HC138 来实现对 8个数码管中的公共端驱动；三极管 Q1—— Q8工作在开关状态； 外部存储器电路 62256 是 32 K8 的高集成度的随机存取存储器，有 28个引脚，采用 单一 +5V 电源供电， 双列直插式结构。 它们的内部结 构与 6264 类似，也是由存储器阵列、行／列地址译码器以及数据输入输出控制逻辑组成。 引脚功能和外部特性与 6264 基本相同，区别仅在于由于容量大，第 26 引脚为 A13 第 1引脚为 A14。 62256 是 32K 的低功能静态 RAM 存储器。 用 P0 和 P2来拓展外部 ram（就是用 P0 和 P2与 62256 对应的管教相连接），假设 接 WR, 接 RD, 接 CS,那么久可以确定外部 RAM的一个地址，想往外部 RAM的一个地址写一个字节时，地址可以定为 XBYTE [0*8000],其中 WR,CS 为低， RD 为高，那就是（也就 是 和 输出了低电平，而 输出了高电平，目的当然是要选通 62256 并且向 62256 写入数据 ） ，其它位的可以根据情况自己定（也就是其它位 ushism 不打紧，关键就是控制 wr， cs， rd的那几个位要符合选通，读，写的规定就可以了），现在我们向 62256 中写个 26 进去就可以使用这天语句： XBYTE [0*8000]= 26 MCS51 单片机系统拓展时，一般使用 P0口作为地址低 8 位（与数据口分时复用），而 P2 口作为地址高 8位，它共有 16 跟地址总线，寻址空间为 64KB。 62256 引脚功能 A0 – A14 地址总线 D0 /D7 输入、输出口 CS 端口选择 WE 输入使能 OE 输出使能 VCC 电源使能 VSS 接地 南昌工程学院本科毕业（论文）设计 15 图 25 数码管显示电路 A7B6C4D2E1F9G10DP5C13C28M1A7B6C4D2E1F9G10DP5C13C28M2A7B6C4D2E1F9G10DP5C13C28M3A7B6C4D2E1F9G10DP5C13C28M4A7B6C4D2E1F9G10DP5C13C28M5A7B6C4D2E1F9G10DP5C13C28M6A7B6C4D2E1F9G10DP5C13C28M7A7B6C4D2E1F9G10DP5C13C28M8S1S2S3S4S5S6S7S1S2S3S4S5S6S7S1S2S3S4S5S6S7S1S2S3S4S5S6S7S1S2S3S4S5S6S7S1S2S3S4S5S6S7S1S2S3S4S5S6S7S1S2S3S4S5S6S7S1S2S3 S4 S5S6S7A1B2C3E14E25E36Y015Y114Y213Y312Y411Y510Y69Y77U3 74HC13838A38B38CD0D1D2 D3 D4D5D6D7VCCS8S8S8S8S8S8S8S8S8Q1 9012Q2 9012Q3 9012Q4 9012Q5 9012Q6 9012Q7 9012Q8 9012D13Q12D24Q25D37Q36D48Q49D513Q512D614Q615D717Q716D818Q819CLK11CLR1U574HC273VCC4 56U6B1011U9E1213U9FWR DISPA1B2C3E14E25E36Y015Y114Y213Y312Y411Y510Y69Y77U1374HC138GNDVCCP2.5P2.6P2.7DISP第二章 多功能单片学习机 16 图 26 外部存储器电路 D03Q02D14Q15D27Q26D38Q39D413Q412D514Q515D617Q616D718Q719OE1LE11U2 74HC373D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7A8 A9 A10AEEARWRA010A19A28A37A46A55A64A73A825A924A1021A1123A122CS120CS226WE27OE22D011D112D213D315D416D517D618D719U8VCCA11A12ROERCS1112 13U6D123U6A5 6U9C456U11B8910U11C1112 13U11DRAMCRDWR1234J8R282KVCCR232KVCCRCSROERWRA0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7A141A122A73A64A55A46A37A28A19A010D011D112D213VSS14D315D416D517D618D719CS20A1021OE22A1123A924A825A1326WE27VCC28U1262256VCCGNDA1B2C3E14E25E36Y015Y114Y213Y312Y411Y510Y69Y77U1374HC138GNDVCCP2.5P2.6P2.71 23U14A74HC08456U14B74HC088910U14C74HC08RAMC32KSRAMCS1112 13U14D74HC08PSENRD32KSRAMOEWRAWRAWR32KSRAMCS32KSRAMOEA0A1A2A3A4A5A6A7A8 A9 A10A11A12P2.5P2.6D0 D1 D2D3D4D5D6D71 2 3 4 5 6 7 8 9PR11 2 3 4 5 6 7 8 9PR2VCCVCCD0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7A8 A9 A10A11A12P2.5P2.6P2.78910U6C1 23U11APSENPOWCHK南昌工程学院本科毕业（论文）设计 17 外部存储器的保护电路 存储器写保护电路在系统上电、掉电、电源电压低以及切换系统程序和用户程序时禁止存储器写操作，保护用户代码。 由图 27 所示。 R30 和 Q15 检测单片机复位信号， R2R2 Q1 R*组成电源检测电路。 D 11R 25R 26Q 141 2U 9A3 4U 9B8910U 11 CR 27V C CR 30。