从沙子到芯片：且看处理器是怎样炼成的驱动之家作者：上方文qbb内容摘要：
出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。 清除光刻胶 ：蚀刻完成后，光刻胶的使命 宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。 第四阶段合影 光刻胶 ：再次浇上光刻胶 (蓝色部分 )，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。 离子注入 (Ion Implantation)：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射 (注入 )固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。 经过电场加速后，注入的离子流的速度可以 超过 30 万千米每小时。 清除光刻胶 ：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域 (绿色部分 )也已掺杂，注入了不同的原子。 注意这时候的绿色和之前已经有所不同。 第五阶段合影 晶体管就绪 ：至此，晶体管已经基本完成。 在绝缘材 (品红色 )上蚀刻出 三个孔洞 ，并填充铜，以便和其它晶体管互连。 电镀 ：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。 铜离子会从正极 (阳极 )走向负极 (阴极 )。 铜层 ：电镀完成后 ，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。 第六阶段合影 抛光 ：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。 金属层 ：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约 500纳米。 在不同晶体管之间形成复合互连金属层。阅读剩余 0%
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