多晶硅

工序的氢化氯硅烷贮槽。 氯硅烷贮存工序 本工序设置以下贮槽： 100m3 氯硅烷贮槽、 100m3 工业级三 氯氢硅贮槽、 100m3 工业级四氯化硅贮槽、 100 m3 氯硅烷紧急排放槽等。 从合成气干法分离工序、还原尾气干法分离工序、氢化气干法分离工序分离得到的氯硅烷液体，分别送入原料、还原、氢化氯硅烷贮槽，然后氯硅烷液体分别作为原料送至氯硅烷分离提纯工序的不同精馏塔。 在氯硅烷分离提纯工序

原炉（ 硅棒对数 从 9 对、 12 对到 50 对，硅芯长度从 米、 2 米到 米或 米 ）。 2)，还原炉尾气采用 “ 干法回收 ” ，回收 H HCL 与硅氯化物； 3），四氯化硅氢化 转化为三氯氢硅，再循环回收 利用。 另外，还有还原炉筒导热油循环冷却工艺技术，与上述三大技术合称为 多晶硅的四项技术， 还原炉筒导热油循环冷却工艺技术 在峨嵋 半导体材料厂开发成功，并长期使用。 国

2OO5年国际多晶硅出现短缺，国际多晶硅大企业积极扩产，在 2O07年 4285O吨产能的基础上， 2O1O年将形成 7705O吨生产能力，如表 1所示。 世界其它国家：俄罗斯、乌克兰等国 2Ol0年产能可达 5O00吨 ,德国、法国、西班牙等欧洲国家、韩国等产能可达 1OOO0吨、铸造物理提纯法产能可达 1O0O0吨 ,预计产能可达1O205O吨，考虑中国新增产能可以弥补世界产能的不足，中国

质，几种第 23 页 共 73 页 分子筛可以吸附的物质及一些物质的分子直径见表 8。 表 8 几种常用的分子筛可以吸附的物质 分子筛的型号 直径 A0（ 108㎝） 可以吸附的物质 3A ～ He、 Ne、 H ON H2O、 Ar 4A ～ CO、 NH Kr、 Xe、CH4 、 C2H6 、CH3OH、 CH3Cl、CO C2H2 及能被3A 吸附的物质。 5A ～ 正构烷烃（ C3～

Modified Siemensreactor technology）。 德国 Wacker 公司开发了一套全新的粒状多晶硅流化床反应器技术生产工艺。 该工艺基于流化床技术（以 SiHCl3 为给料），已在两台实验反 应堆中进行了工业化规模的生产试验。 美国 Hemlock 公司将开设实验性颗粒硅生产线来降低硅的成本。 MEMC 公司一直采用 MEMC 工艺（流化床法）生产粒状多晶硅

能 产量 用途 产能 产量 用途 半导体 太阳能 电池 半导体 太阳能 电池 半导体 太阳能 电池 德山（日） 4800 3600 2600 1000 4800 4000 3000 1000 4800 4400 3200 1200 三菱材料（日） 1600 1400 1200 200 1600 1400 1200 200 1600 1600 1400 200 住友钛（日） 700 700 700

左右。 但是，上述的比较是假定硅烷为 30 万 /吨 、而多晶硅为 300 万 /吨来比较的，而且，还没有计算硅烷气变成非晶硅薄膜的时候的用电和损耗。 如果，每吨多晶硅的价格降到 30 万元一吨（这样，物理法的多晶硅生产厂依然可以保有 50%以上的利润），则多晶硅电池的硅材料的成本将下降到 ~3 元 /瓦，低于每瓦薄膜电池所用的硅烷气的成本。 由于晶体硅电池的光电转换效率高，因此

多晶硅产品规格和质量指标 指标名称 产品规格及质量指标 Si % w(太阳能级 ) 受主水平 N3000Ω .cm 施主水平 P300Ω .c B 含量 ≤ w P 含量 ≤ C 含量 ≤ 100ppb 体内金属含量 w (Fe 、 Cu、 Zn、 Cr、 Ni) 形态 表面无氧化夹杂物，呈银灰色，带有金属光泽， 表面金属杂质含量 ： Fe a/ w Cu a/ w Ni a/ w Cr a/

产业概况 ： 晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅 ）是最主要的光伏材料，其市场占有率在 90％以上 ,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。 多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等 3个国家 7个公司的10 家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。 按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。 其中，用于电子级多晶硅占 55％左右

法。 自从 1975 年 Wacker 公司用浇注法制备多晶硅材料以来，冶金法制备太阳能级多晶硅被认为是一种有效降低生产成本、专门定位于太阳多级多晶硅的生产方法，可以满足光伏产业的迅速发展需求。 化工系毕业论文（设计） 8 3 多晶硅尾气回收工艺研究与发展 回收方法 多晶硅是电子信息产业和太阳能光伏产业的基础原料之一。 随着信息技术和太阳能光伏产业的发展，全球市场对多晶硅的需求量快速增长。 目前