电工与电子技术c授课教案

电工与电子技术c授课教案内容摘要：

对称三相电路中的电压、电流和功率的计算。 2. 三相四线制供电系统 中中性线的作用 13 第 1 20 学时 课题 供电与用电 教学 目的 1. 了解触电的种类和安全用电的重要性。 2. 了解接地和接零保护的作用和使用 条件。 3. 了解静电保护和电器防火防爆的常识。 重点 难点 1. 触电的种类和安全用电的重要性。 2. 接地和接零保护的作用和使用 条件。 教学方法 多媒体（为主） +板书（为辅） 授课 班级 测绘2020 地信2020 地质20201， 2 资环2020 授课 日期 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 主 要 教 学 内 容 触电事故 触电：指人体接触带电体时，电流流经人体造成的伤害。 触电事故又分为：直接接触触电和间接接触触电。 1. 直接触电 2. 间接触电 ： 是指人体接触到正常情况下不带电 ,仅在事故下才带电的部分而发生的触电事故。 ⑴ 电击 : 电流通过人体内部 ,影响呼吸系统、心脏和神经系统，造成人体内部组织的破坏乃至死亡。 ⑵ 电伤：电 流的热效应、化学效应、机械效应等对人体表面或外部造成的局部伤害。 触电防护 (一 )安全电压 ： 常规环境下 ： 交流电压为 50 V； 直流电压为 120 V 我国规定的工频安全电压额定值分别为 ： 42 V、 36 V、 24 V、 12 V 和 6 V。 (二 )保护接地和保护接零 1. 接地 : ⑴ 工作接地 :为保证电力设备和设备达到正常工作要求而 进行的接地。 如电源中性点接地 ,防雷装置接地等。 ⑵保护接地 :为保证人身安全 ,防止间接触电 ,而将设备的外 壳可导电金 属部分接地。 2. 保护接地和保护接零 ⑴ IT 系统 : 电源中性点不接地的三相三线制供电系统 ,电器设备的金属外壳接地。 也称为保护接地 ⑵ TN 系统 ： 电源中性点接地的三相四线制供电系统电器设备的金属外壳与零线相连。 也称为保护接零。 ⑶ TT 系统 ： 电源中性点接地的三相四线制供电系统电器设备的金属外壳与地线相连。 也称为保护接地。 （三）漏电开关 14 静电防护 （一）静电的形成 (二 )静电防护方法 : 1. 限制静电的产生。 2. 防止静电的积累。 3. 控制危险的环境 电气防火和防爆 主要原因 : 1. 电气设备使用不当 ； 2. 电气设备发生故障。 预防措施 ： 1. 合理选用电气设备 —防爆电器 ； 2. 保持电气设备正常运行 ； 3. 保持必要的安全距离 ； 4. 保持良好的通风 ； 5. 装备可靠的基地装置 ； 6. 采取完美的组织措施。 课后 小结 1. 了解触电的种类和安全用电的重要性。 2. 了解接地和接零保护的作 用和使用 条件。 3. 了解静电保护和电器防火防爆的常识。 15 第 2 22 学时 课题 半导体器件 教学 目的 ，掌握 PN 结的单向导电性。 、伏安特性和主要参数。 了解二极管的钳位作用和限幅作用。 理解单相桥式整流电路和有滤波作用的整流电路。 重点 难点 1. PN 结的单向导电性。 、伏安特性。 教学方法 多媒体（为主） +板书（为辅） 授课 班级 测绘2020 地信2020 地质20201， 2 资环2020 授课 日期 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 主 要 教 学 内 容 半导体基础知识 （一）本征半导体 定义：纯净的具有晶体结构的半导体 特点： (1) 含有两种载流子 ——带负电的电子、带正电的空穴 (2) 载流子的数量少且成对出现 (3) 载流子的数量受温度影响较大，温度高数量就多 （二）杂质半导体 .定义：渗入少量杂 质的半导体 (1) P 型半导体 形成：向本征半导体中渗入少量的 3 价元素 特点：（ a）含有大量的空穴 ——多数载流子。 （ b）含有少量的电子 ——少数载流子 (2) N 型半导体 形成：向本征半导体中渗入少量的 5 价元素 特点：（ a）含有大量的电子 ——多数载流子。 （ b）含有少量的空穴 ——少数载流子 （三） PN 结 (1) PN 结的形成。 (2) PN 结的特性 ： 加正向电压→导通 ， 加反向电压→截止。 单方向导电性 半导体二极管 （一）基本结构 PN （二）伏安特性。 定义：二极管电流与 电压之间的关系。 因通常使用二极管时应保证其工作在正向导通或反向截止状态，故认为二极管正偏则导通，反偏则截止 —— 单向导电性。 （三）主要参数 (1)IF ：额定正向平均电流 ； (2)UF ：正向电压降 ； (3)UR ：最高反向工作电压 （四）整流电路 ： (1)单相半波整流 ； （ 2）单相桥式整流电路 ； * 三相桥式整流电路 课后 小结 1. PN 结的单向导电性。 伏安特性。 16 第 2 24 学时 课题 半导体器件 教学 目的 1. 了解稳压二极管的主要特性及其稳压电路。 2. 了解双极型晶体管的基本类型、特性曲线和主要参数。 理解晶体管的三种工作状态。 重点 难点 1. 稳压二极管的主要特性。 2. 双极型晶体管的基本类型、特性曲线以及 三种工作状态。 教学方法 多媒体（为主） +板书（为辅） 授课 班级 测绘2020 地信2020 地质20201， 2 资环2020 授课 日期 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 主 要 教 学 内 容 特殊二极管 （一）稳压二极管 (1) 结构：面接触型硅二极管。 （ 2）主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性 较小的 U  较大的 I， 在一定的范围内，反向击穿具有可逆性 （ 3）主要参数 ： 稳定电压： Uz； 最小稳定电流： Izmin； 最大稳定电流： Izmax （ 4）稳压原理 * （二）光电二极管 双极型晶体管 (一 )基本结构 ： PNP,NPN (二 )工作状态 1. 三极管放大的外部条件 ： 发射结正偏、集电结反偏 2. 各电极电流关系及电流放大作用 结论 :1）三电极电流关系 IE = IB + IC； 2） IC  IB ， IC  IE ； 3）  IC   IB。 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质 :用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 (三 )特性曲线 1. 三极管输入特性曲线 CEB B E()UI f U  常 数 17 2 . 三极管输出特性曲线 BC C E()II f U  常 数输出特性曲线 工作区域 通常分三个工作区： (1) 放大区 、 （ 2）截止区 、 （ 3）饱和区。 (四 )主要参数 ： 1. 电流放大系数 ； 基极反向截止电流 ICBO； 4. 集电极最大允许电流 ICM ； 5. 集 射极反向击穿电压 U(BR)CEO； 6. 集电极最大允许耗散功耗 PCM。 集成电路 （一）集成电路（固体组件） （二）发展进程 （三）分类 ： 模拟电路：用于处理模拟信号。 数字电路：用于处理数字电路。 课后 小结 1. 稳压二极管的工作区域为反向击穿区。 2. 双极型晶体管的基本类 型、特性曲线以及 三种工作状态。 18 第 2 26 学时 课题 基本放大电路 教学 目的 1. 了解放大电路的工作原理 . 2. 理解放大电路的静态分析的内容和方法。 重点 难点 1. 放大电路的工作原理 . 2. 放大电路的静态分析的内容和方法。 教学方法 多媒体（为主） +板书（为辅） 授课 班级 测绘2020 地信2020 地质20201， 2 资环2020 授课 日期 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 月 日 主 要 教 学 内 容 放大电路的工作原理 （一）电路的组成 晶体管 T放大元件 , iC= iB。 要保证集电结反偏 ,发射结正偏 ,使晶体管工作在放大区。 基极电源 EB 与基极电阻 RB使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。 集电极电源 EC 为电路提供能量。 并保证集电结反偏。 集电极电阻 RC将变化的电流转变为变化的电压。 耦合电容 C1 、 C2 ： 隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号 顺利输入、输出。 (二 )信号放大过程 静态：未加输入信号时放大器的工作状态。 动态：加上输入信号时放大器的工作状态。 1. 实现放大的条件 (1) 晶体管必须工作在放大区。 发射结正偏，集电结反偏。 (2) 正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区。 (3) 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。 (4) 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号。 2. 直流通路和交流通路 直流通路：无信号时电流（直流电流）的通路，用来计算静态工作点。 交流通路：有信号时交流分量（变 化量）的通路，用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。 放大电路的静态分析 (一 )静态工作点的确定 ： ； 2. 用计算法（估算法）确定静态值 (二 )静态工作点的影响 ：饱和失真和截止失真。 课后 小结 放大电路的静态分析的内容 即静态工作点的确定。 19 第 2 28 学时 课题 基本放大电路 教学 目的 1. 了解放大电路 动态分析的内容和方法。 2. 静态工作点的稳定。 重点 难点 放大电路 动态分析的内容和方法。 教学方法 多媒体（为主） +板书（为辅） 授课 班级 测绘2020 地信2020 地质20201， 2 资环2020 授课 日期 月 日 月 日 月。