清华大学模拟电子技术第06章集成电路运算放大器36页(编辑修改稿)内容摘要:
输出电阻在 单端输出时, 双端输出时, co RR =co 2 RR =共模抑制比 cdC M RvvAAK = dBlg20cdC M RvvAAK =( 2)单端输出时共模抑制比 共模抑制比 KCMR是差分放大器的一个重要指标。 = AAK vcvdC M R( 1)双端输出时 KCMR为无穷大 beovcvdC M R rrAAK b=11恒流源差分放大电路 为了提高共模抑制比应加大 Re。 但 Re加大后,为保证工作点不变,必须提高负电源,这是不经济的。 可用恒流源 T3来代替 Re。 恒流源动态电阻大,可提高 共模抑制比。 同时恒流源的 管压降只有几伏,可不必提 高负电源之值。 恒流源电流数值为 IE =(VZ VBE3 )/ Re 双电源差分放大电路 差分放大电路的静态计算 将电路中信号源短路即可获得计算静态的直流通路。 已知: b=100, VBE= esBEEEB 2)1(= RRVVIb ARVeEE 6 μ201 0 01221 =bmAII BC == b另一种工程估算法: mAVI R eEEE == AII EB b ==VRIVV CCCCCE 6=交流参数 rbe: k..rbe 674602610 0130 0 =例 1: 差动电路中,晶体管参数: b 1 = b 2 = 60 , r bb’ = 30 0 , VUI11= , VUI2=。 求:( 1 )静态工作时的两管集电极电流 I C ; ( 2 )双端输出时的oU 和从 T1 单端输出时的 1oU。 === OIIOidoVDUUUUvvA解: 172347 2100 0060 ===beCVD rRA b= OUmAI C Cbe ImVr 26)1(300 b= = OU VU O = VUU OO 211 ==小 结 (对于基本共发放大器构成的差放) 双端输入 单端输入 双端输入 单端输入 双 端 输 出 单 端 输 出 Avd 2//,/ RRRrR LCLbeL = b RRRrR LCLbeL //,2 =bRid rbe2Ro RC2 RCAvc 0 R2R EEL /K CMR rgrR bembeEE / bRic R2r EEbe 1 b例 2: 80=b BE 20= mA..RRVVII EECCRCQ 247524234 =。清华大学模拟电子技术第06章集成电路运算放大器36页(编辑修改稿)
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当)( i2i1i4i3fo vvvvRRv 于是 例 1: 数据放大器的输出表达式, 并分析 R1的作用。 解: vs1和 vs2为 差模输入信号,为此 vo1和 vo2也是差模信号, R1的中点为交流零电位。 对 A3是双端输入放大电路。 数据放大器原理图 所以 : ))(21( S1S212o1o2o vvRRvvv
当 0< V< Vth时,正向电流为零, Vth称死区电压或开启电压。 正向区分为两段: 当 V > Vth时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。 反向区也分两个区域: 当 VBR< V< 0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称 反向饱和电流 IS。 当 V≥VBR时,反向电流急剧增加, VBR称为 反向击穿电压。 (2) 反向特性 硅二极管